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研究人员设计了一种开创性的材料，通过扭曲石墨烯和硒化钨层，利用独特的自旋相关特性。
这种自旋电子学领域的创新技术可以彻底改变先进电子设备的发展，增强磁存储器与处理器的集成，并克服当前处理自旋电流的限制开创性的自旋电子学材料与布拉格查尔斯大学和圣塞巴斯蒂安CFM（CSIC-UPV/EHU）中心的研究人员合作，CIC nanoGUNE的纳米器件小组设计了一种新的复杂材料，在自旋电子学领域具有新兴的特性。
这一发现发表在《自然材料》杂志上，为开发新型、更高效、更先进的电子设备开辟了一系列新的可能性，比如那些将磁存储器集成到处理器中的电子设备具有独特特性的二维材料的发现导致了对这些材料的研究热潮，因为当两层这些材料堆叠形成异质结构时会产生新的效应。
最近已经观察到，这些层的微小旋转可以显着改变这种异质结构的性质材料堆叠中的创新扭曲技术“在这项工作中，我们研究了两层石墨烯和硒化钨（WSe2）的堆叠，”Ikerbasque研究教授fsamlix Casanova解释说，他是nanoGUNE纳米器件小组的联合负责人，也是这项工作的负责人。
“如果把这两层材料一层叠在另一层上，并以一个精确的角度旋转，就会在一个特定的方向上产生自旋电流，”Casanova补充说自旋（电子和其他粒子的特性之一）通常沿垂直于电流的方向传递处理这些自旋电流是自旋电子学（利用自旋来存储、处理和传输信息的电子学）的主要限制之一。
然而，“这项工作表明，当使用合适的材料时，这种限制实际上消失了，”fsamlix Casanova强调说对未来电子设备的影响研究人员得出结论：“通过简单地堆叠两层并施加‘神奇’扭曲，可以获得初始材料中不存在的与自旋相关的新特性。
我们在材料选择上的灵活性越大，下一代设备的设计可能性就越大”如果朋友们喜欢，敬请关注“知新了了”！
